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今年四季度以来，存储行业迎来史诗级涨价浪潮。
10月23日，SK海力士官宣四季度DRAM、NAND合同价最高上调30%。
11月9日，闪迪大幅上调NAND闪存合约价约50%，是本轮NAND涨幅最大的单次调价。
上游存储芯片的持续上涨，进一步影响下游消费电子产品。“还没有买手机的朋友要尽快买，明年价格大概率上涨。”集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷告诉21世纪经济报道记者，预计本轮存储芯片价格持续上涨的周期比上一轮八个季度的周期更长，整体智能手机价格也会往上调。
本轮存储芯片涨价，归因是人工智能浪潮带来的AI服务器旺盛需求，推动原厂将更多产能转向AI系统所需的高端产品，包括HBM、DDR5，导致普通型存储芯片LPDDR4产品供应不足。
吴雅婷表示，随着原厂的逐步停产，到2026年，LPDDR4在总的LPDDR供应中占比降至26%，LPDDR5的供应占比将快速提升至73%。由于手机需求叠加AI需求，LPDDR5的供给也会持续紧张，预计明年都会面临供应紧缺和涨价问题，进一步促进智能终端的成本压力上升。
消费电子涨价
在深圳华强北电子市场，现货供应紧张，“一天一个价”自10月份以来已经成为普遍现象。商家与买方之间都夹杂着一种复杂情绪，既有对手上留有存货的庆幸，也有对存货价值剧烈波动的焦虑。
“短短一个多月的时间，存储行业迎来的涨价浪潮，是我从业十几年来第一次遇到，11月初的时候，闪迪再次宣布涨价50%，紧接着三星跟进部分产品，涨价超过60%，这么短的时间这么大的涨幅，是让我很震惊的。”时创意董事长倪黄忠向记者表示。
倪黄忠认为，过去存储涨价，基本都是手机容量倍增或原厂出现停电等异常情况导致减产涨价，但本轮涨价完全超出预期，主要在于AI的规模化应用带来的结构性缺货，本质上是存储从AI的成本配件向战略物资的角色转型，当以存代算成了降本增效的核心路径，彻底重构了整个存储市场的逻辑。
今年以来，AI持续猛涨的需求，对内存带宽和容量提出极高要求，一台AI服务器对DRAM的需求是普通服务器的8倍，对NAND的需求高达3倍，增加了对HBM和DDR5等高性能、高密度存储产品的需求，从而带动存储原厂的结构性产能转移。
上游包括三星、SK海力士、美光在内的三大存储巨头主动调整产能结构，削减部分利润率偏低的传统DRAM产能，如LPDDR4，将晶圆厂产能转向生产HBM和DDR5等高附加值产品。
这种结构性产能转移直接导致用于智能手机的LPDDR4等传统DRAM供应持续紧张，其价格涨幅预期也随之上调，行业普涨正快速向下游传导，对手机、PC等终端厂商构成巨大成本压力，机构也下调对明年智能手机出货量预期。
集邦咨询数据显示，2025年LPDDR4(X)在总的LPDDR供应当中的占比为39%，随着三大原厂的逐步停产，预计2026年占比将会降低至26%。相比之下，LPDDR5(X)的供应占比将从2025年的60%快速提升到2026年的73%。
吴雅婷表示，明年LPDDR5在LPDDR的产出中将超过70%，但由于手机的需求会跟AI的需求互相竞争，LPDDR5的供给也将紧张，再加上LPDDR4的供给减少，预计2026年智能手机的成本压力会上升许多。
集邦咨询数据显示，LPDRAM价格在2025年下半年整体上涨超50%，一些智能手机品牌已经调涨零售价格作为回应，这将冲击智能手机和笔记本电脑的升级意愿和换机计划，预计将导致2026年出货增速分别同比下滑至-2%和-3%。
集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣向记者表示，今年下半年各大云服务商加码AI基础设施投入，台积电正不断满足AI方面的需求，使得内存、闪存产能吃紧，价格节节高涨，到2026年，智能手机和笔记本电脑的出货将是负增长情况，这和AI服务器的高增长几乎是两个完全不同的世界。
明年仍供不应求
与明年智能手机与笔记本电脑出货增速预估下调不同的是，通用服务器和AI服务器2026年对于DRAM和NAND Flash需求将保持高速增长，远超于来自笔记本电脑和智能手机的需求。
集邦咨询数据显示，2026年，通用服务器对于DRAM需求将同比增长20%，对于NAND Flash的需求将同比增长19%；AI服务器对于DRAM需求方面，预计2026年LPDDR需求同比增长15%，RDIMM同比增长21%，对于NAND Flash需求将继续大涨超70%。
AI需求如此猛增，那么2026年的存储市场如何走向？集邦咨询报告显示，预计2026年DRAM市场的供应量将同比增长20%，营收规模将会达到3006亿美元，同比大涨85%，平均单价约为1.63美元，同比上涨58%。NAND Flash市场则在2026年供应量同比增长21%，营收规模将会达到1105亿美元，同比涨58%；平均单价约为0.1美元，同比上涨32%。
吴雅婷表示，存储市场需求复苏稳健，得益于AI应用为主要增长引擎，尤其是服务器市场驱动，今年四季度DRAM合约价格变化很快，现在多家原厂都停止报价，都不希望自己的涨价幅度低于别人，所以轮流暂停报价，每一次报价出来的金额都比上一次高，若排除HBM的部分，今年第四季度消费类DRAM的涨价幅度接近50%基本可以反映明年一季度的涨幅。
“从2026年的每个季度看，明年上半年的消费类DRAM涨幅会比较明显，原厂轮流停止报价、涨价、竞价的行为模式会持续发生，竞价模式在明年仍是市场主流，持续推动价格往上走，明年各个类型的DRAM产品基本没有价格下跌的可能。”吴雅婷表示。
价格的上涨，推动存储芯片原厂增加资本支出扩产。集邦咨询数据显示，2025年，在AI和HBM的驱动下，三星、SK海力士、美光三大供应商积极推动制程转换，资本支出同比增长超过80%，预计在2026年，DRAM资本支出将分别增长17%、25%、40%。
目前，三星的P4L DRAM厂房建设计划于2025年完成，随后于2026年启动生产；SK海力士的M15X HBM晶圆厂计划于2025年底开始大规模生产；美光的ID1新晶圆厂已于2024年动工，预计将在2027年启动更广泛生产。
然而，这些新建产能对2026年的供给十分有限。吴雅婷认为，存储芯片原厂当前扩大资本支出新建产能，但在2026年能进行有效供给产出的量非常少，即便资本支出上升和加速新厂房建设，对产能增长的效果在2027年底前都非常有限。
“在这样的市场行情下，财大气粗的云端CSP厂商愈演愈烈的趋势将更明显，中小型终端厂商会面临更大的压力，需要采取更弹性的做法，比如从现货市场或者寻找其他资源和渠道进行存储收货。”吴雅婷表示。
倪黄忠表示，存储在芯片行业在未来的很长一段时间里仍是紧缺，对存储模组厂来说是机遇也是挑战，随着价格的持续猛涨，终端消费者可能会买不到自己想要的产品，行业要回归到一个正常的供需关系，这就需要终端厂商把存储当作AI行业中的战略物资，做好长期规划。
（作者：吴佳楠 编辑：倪雨晴）
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